Precision Cutting for New Energy Battery Materials
Advanced new energy batteries rely on precision processing of electrode, separator, and solid-state battery materials. Diamond wire cutting is the ideal solution for slicing hard, brittle, and high-value battery materials, delivering ultra-low kerf loss, damage-free surfaces, and tight dimensional accuracy.
Our cutting systems support customized processing for lithium-ion, solid-state, and next-gen energy storage materials, enabling high-precision slicing for R&D prototyping and mass production, while maximizing material utilization and production efficiency.
Our precision cutting systems are designed for the complex processing needs of new energy battery materials, supporting lithium-ion, solid-state, and next-generation energy storage technologies. They deliver damage-free, high-precision slicing for hard, brittle, and high-value battery materials, including electrode foils, ceramic separators, and solid-state electrolyte components. With customizable cutting paths and tension control, they meet the diverse R&D and mass production requirements of battery manufacturers.
| SỐ. | Tham số | Thông số kỹ thuật |
| 1 | Mẫu | TCQF400LNC-FM-HL |
| 2 | Nguyên lý cắt | Dây kim cương vô tận / Cắt cơ học |
| 3 | Các chức năng cắt | Cắt lát / Cắt theo góc và hình dạng |
| 4 | Kích thước tối đa của phôi (mm) | Đường kính Φ600mm, Chiều cao 500mm |
| 5 | Kích thước bàn làm việc (mm) | Ø380 转台 |
| 6 | Độ chính xác về độ phẳng khi cắt (mm) | 0.08 |
| 7 | Độ nhám bề mặt (μm) | Ra 0,8 μm |
| 8 | Thông số kỹ thuật dây (mm) | Ø0,65–1,0/2580 |
| 9 | Hệ thống căng dây | Kiểm soát độ căng dây không đổi |
| 10 | Số lượng bánh dẫn hướng | 4 bánh xe |
| 11 | Động cơ truyền động | Động cơ servo |
| 12 | Tốc độ dây (m/s) | 51Max (Có thể điều chỉnh) |
| 13 | Tổng công suất (kW) | 2.8 |
| 14 | Điện áp | 220 V, 50 Hz |
| 15 | Hệ thống điều khiển | Hệ thống Tongcheng T32 được phát triển theo yêu cầu |
| 16 | Kích thước (Dài × Rộng × Cao) (mm) | 1350×1066×1968 |
| 17 | Trọng lượng tổng kg | 720 |
Temperature is easy to treat as a secondary variable in SiC wafer cutting. A machine may report stable wire speed, the coolant tank may remain
A diamond wire can continue moving long after it has stopped cutting economically. It may not be broken, alarms may remain clear, and the machine
Build a SiC wafer metrology control plan after diamond wire saw cutting, covering TTV, flatness, bow, warp, edge chips and subsurface damage.
See how 800 VDC AI data center power architectures change SiC wafer cutting, kerf control, surface damage limits and supplier qualification.
Build a practical SiC slicing cost model using kerf loss, yield, wire life, cycle time, finishing allowance and diamond wire saw data.
Learn how 200 mm SiC wafer slicing changes contact length, wire bow, coolant delivery, TTV control and diamond wire saw qualification.
