
Sawing Temperature in SiC Wafer Cutting: A Diamond Wire Saw Control Guide
Temperature is easy to treat as a secondary variable in SiC wafer cutting. A machine may report stable wire speed, the coolant tank may remain
High-Precision Wire Saw Systems for Electronic Substrate Processing
Rigid, flexible, and rigid-flex circuit substrates form the backbone of electronic devices, from consumer gadgets to industrial control systems. Precision slicing of these substrates is essential to maintain circuit integrity, flatness, and electrical performance. Diamond wire cutting provides a damage-free alternative to traditional methods, preserving substrate properties and eliminating delamination.
Our specialized systems deliver precise, clean slicing for FR-4, ceramic, polyimide, and copper-clad laminates, ensuring consistent thickness and flatness across large-format panels. The closed-loop tension control and real-time monitoring prevent micro-cracks and fiber damage, critical for high-density, fine-pitch circuit boards.
Suitable for both R&D prototyping and mass production, our solutions support high-throughput processing for multi-layer PCBs and advanced circuit substrates. The intelligent CNC control allows for precise parameter adjustment, ensuring compatibility with the latest PCB technologies and flexible circuit manufacturing processes.
Our diamond wire cutting solutions are tailored for high-precision slicing of rigid, flexible, and rigid-flex PCB base materials, ceramic substrates, and semiconductor packaging substrates. The systems feature closed-loop tension control and real-time monitoring, ensuring consistent thickness, flatness, and damage-free cutting for high-density, fine-pitch circuit boards. This eliminates delamination and micro-cracks, directly improving PCB yield and reliability in mass production.
| SỐ. | Tham số | Thông số kỹ thuật |
| 1 | Mẫu | TCQF400LNC-FM-HL |
| 2 | Nguyên lý cắt | Dây kim cương vô tận / Cắt cơ học |
| 3 | Các chức năng cắt | Cắt lát / Cắt theo góc và hình dạng |
| 4 | Kích thước tối đa của phôi (mm) | Đường kính Φ600mm, Chiều cao 500mm |
| 5 | Kích thước bàn làm việc (mm) | Ø380 转台 |
| 6 | Độ chính xác về độ phẳng khi cắt (mm) | 0.08 |
| 7 | Độ nhám bề mặt (μm) | Ra 0,8 μm |
| 8 | Thông số kỹ thuật dây (mm) | Ø0,65–1,0/2580 |
| 9 | Hệ thống căng dây | Kiểm soát độ căng dây không đổi |
| 10 | Số lượng bánh dẫn hướng | 4 bánh xe |
| 11 | Động cơ truyền động | Động cơ servo |
| 12 | Tốc độ dây (m/s) | 51Max (Có thể điều chỉnh) |
| 13 | Tổng công suất (kW) | 2.8 |
| 14 | Điện áp | 220 V, 50 Hz |
| 15 | Hệ thống điều khiển | Hệ thống Tongcheng T32 được phát triển theo yêu cầu |
| 16 | Kích thước (Dài × Rộng × Cao) (mm) | 1350×1066×1968 |
| 17 | Trọng lượng tổng kg | 720 |

Temperature is easy to treat as a secondary variable in SiC wafer cutting. A machine may report stable wire speed, the coolant tank may remain

A diamond wire can continue moving long after it has stopped cutting economically. It may not be broken, alarms may remain clear, and the machine

Build a SiC wafer metrology control plan after diamond wire saw cutting, covering TTV, flatness, bow, warp, edge chips and subsurface damage.

See how 800 VDC AI data center power architectures change SiC wafer cutting, kerf control, surface damage limits and supplier qualification.

Build a practical SiC slicing cost model using kerf loss, yield, wire life, cycle time, finishing allowance and diamond wire saw data.

Learn how 200 mm SiC wafer slicing changes contact length, wire bow, coolant delivery, TTV control and diamond wire saw qualification.
ewirexon.com
Thường trả lời trong vòng vài phút
Xin chào, có thể giúp gì cho bạn không?
Liên hệ với chúng tôi qua WhatsApp
🟢Trực tuyến | Chính sách bảo mật
Hãy nhắn tin cho chúng tôi qua WhatsApp