
Sawing Temperature in SiC Wafer Cutting: A Diamond Wire Saw Control Guide
Temperature is easy to treat as a secondary variable in SiC wafer cutting. A machine may report stable wire speed, the coolant tank may remain
用于半导体制造中氮化铝晶片加工的高精度金刚石线切割系统
氮化铝(AlN)基板是用于电力电子和半导体封装的关键高性能陶瓷材料。对氮化铝晶片进行精密切片有助于保持材料的完整性,最大限度地降低热阻,并确保在大功率应用中的可靠性能,这对提高设备效率和产量具有积极作用。在各种类型的氮化铝加工中,超薄晶片切片、多层基板切割和定制元件切割在业内应用最为广泛。在大批量生产线中,各个加工步骤都被集成到自动化站中。氮化铝坯料通过金刚石线切割系统送入,并通过高张力线切割、无应力切割、表面研磨等各种精密操作进行加工。.
用于氮化铝基片切片的金刚石线切割系统在坯料制备后对陶瓷材料进行加工,通常采用超精密线张力控制和接近最终公差的低应力切割。用于超薄晶片、厚基板或定制组件的高效切割系统必须具有极高的尺寸精度(切口损失最小),同时还必须具有较高的工艺稳定性。同时,氮化铝切割系统应能处理陶瓷材料的高硬度和脆性,并具有紧凑的占地面积,以确保生产线设计尽可能节省空间。.
ewirexon 的高精度、低损耗和紧凑型金刚石线切割系统可帮助半导体制造商实现超高的尺寸精度,从而获得最佳的切片效果。同时,在主要生产模式下,材料损耗保持在较低水平。切割系统由高刚性钢架制成,具有耐磨性,并且由于优化了线张力控制,非常适合灵活加工各种厚度或切割方向的氮化铝基板。由于其稳定的机械结构,与行业标准切割系统相比,它所需的维护频率更低。精确的导丝几何形状与优化的进线锥相结合,确保了最小的次表面损伤。由于机器占地面积小,因此可以实现特别节省空间的生产线设计。氮化铝切割系统已通过循环工作条件测试,以模拟半导体晶片生产中常见的大量启动和停止的应用。.
精密优化的切割系统线径几何形状减少了材料浪费和生产损失,最大限度地降低了切口损失和次表面损伤。.
由于高精度切割刀片可确保材料的高利用率和稳定的加工过程,因此可节约生产成本并提高材料产量。.
最佳切片效果在专门匹配的生产线上使用时,可产生高尺寸精度和超光滑表面质量,实现快速高效的晶片加工。.
切割系统的使用寿命长,这得益于高刚性框架结构和经循环测试确认的高部件强度,从而降低了维修成本。.
| 不. | 参数 | 规格 |
| 1 | 模型 | TCQF400LNC-FM-HL |
| 2 | 切割原理 | 无尽金刚石线/物理切割 |
| 3 | 切割功能 | 切片 / 角材和型材切割 |
| 4 | 最大工件尺寸(毫米) | Φ600毫米,高度500毫米 |
| 5 | 工作台尺寸(毫米) | Ø380 转台 |
| 6 | 切割平面精度(毫米) | 0.08 |
| 7 | 表面粗糙度(μm) | Ra 0.8μm |
| 8 | 电线规格(毫米) | Ø0.65-1.0/2580 |
| 9 | 张力系统 | 恒线张力控制 |
| 10 | 导轮数量 | 4 轮 |
| 11 | 驱动电机 | 伺服电机 |
| 12 | 线速(米/秒) | 51Max(可调) |
| 13 | 总功率 | 2.8 |
| 14 | 电压 | 220 伏 50 赫兹 |
| 15 | 控制系统 | 定制开发的通程 T32 系统 |
| 16 | 占地面积(长×宽×高)(毫米) | 1350×1066×1968 |
| 17 | 毛重 千克 | 720 |
一家半导体制造商与 ewirexon 合作,对其氮化铝切片工艺进行了升级,实现了更高的产量、更少的材料浪费和稳定的生产精度。.
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