Giải pháp dây kim cương chính xác cho việc gia công tấm kính mỏng
Các tấm kính siêu mỏng là thành phần quan trọng trong các thiết bị hiển thị độ phân giải cao, bảng điều khiển ô tô và các ứng dụng quang học. Việc cắt theo đường viền chính xác là yếu tố thiết yếu để tạo ra các hình dạng phức tạp, đồng thời duy trì tính toàn vẹn cấu trúc và tránh hiện tượng sứt mẻ hoặc vỡ mép. Công nghệ cắt bằng dây kim cương mang lại giải pháp không tiếp xúc, không gây ứng suất cho quá trình gia công các vật liệu kính dễ vỡ.
Các hệ thống của chúng tôi mang lại độ chính xác ở mức micron trong quá trình cắt kính bảo vệ, bảng điều khiển cảm ứng và kính màn hình siêu mỏng. Đường đi của dây cắt được tối ưu hóa cùng công nghệ cắt giảm ứng suất giúp ngăn ngừa ứng suất bên trong và hiện tượng cong vênh, đảm bảo chất lượng vượt trội cho các công đoạn gia công tiếp theo như ép lớp và dán kết.
Lý tưởng cho sản xuất điện tử quy mô lớn, các hệ thống của chúng tôi nổi bật với khả năng xử lý tốc độ cao và khả năng tương thích với các dây chuyền sản xuất tự động. Thiết kế nhỏ gọn và cấu hình linh hoạt giúp các hệ thống này phù hợp cho cả việc phát triển mẫu thử lẫn sản xuất tấm nền màn hình quy mô lớn.
Các hệ thống cắt bằng dây kim cương của chúng tôi mang lại khả năng cắt định hình không gờ, không gây ứng suất cho kính màn hình siêu mỏng, kính bảo vệ và các tấm kính ô tô. Được thiết kế dành riêng cho sản xuất điện tử quy mô lớn, các hệ thống này đạt được độ chính xác kích thước ở mức micron đồng thời loại bỏ hiện tượng sứt mẻ và vỡ cạnh, ngay cả đối với kính mỏng chỉ 0,1 mm. Đường đi của dây cắt được tối ưu hóa cùng với hệ thống kiểm soát độ căng đảm bảo chất lượng cắt đồng đều trên các tấm kính khổ lớn, đáp ứng các yêu cầu khắt khe trong sản xuất màn hình cảm ứng, thiết bị điện tử tiêu dùng và màn hình ô tô.
| SỐ. | Tham số | Thông số kỹ thuật |
| 1 | Mẫu | EW-D2236 |
| 2 | Kích thước tấm đỡ phôi | 110 × 360 mm |
| 3 | Phạm vi cắt tối đa của phôi | 220 × 360 mm |
| 4 | Độ chính xác kích thước khi cắt | ±0,02 mm |
| 5 | Phạm vi tốc độ cấp liệu của bàn làm việc | 0 ~ 1.000 mm/h |
| 6 | Hành trình dọc của bàn làm việc | 200 mm |
| 7 | Số lượng bánh dẫn hướng | 8 bánh xe |
| 8 | Tổng công suất định mức | 22 kW |
| 9 | Kích thước (Dài × Rộng × Cao) | 1942 × 1522 × 2200 mm |
| 10 | Trọng lượng tổng | 4.800 kg |
Temperature is easy to treat as a secondary variable in SiC wafer cutting. A machine may report stable wire speed, the coolant tank may remain
A diamond wire can continue moving long after it has stopped cutting economically. It may not be broken, alarms may remain clear, and the machine
Build a SiC wafer metrology control plan after diamond wire saw cutting, covering TTV, flatness, bow, warp, edge chips and subsurface damage.
See how 800 VDC AI data center power architectures change SiC wafer cutting, kerf control, surface damage limits and supplier qualification.
Build a practical SiC slicing cost model using kerf loss, yield, wire life, cycle time, finishing allowance and diamond wire saw data.
Learn how 200 mm SiC wafer slicing changes contact length, wire bow, coolant delivery, TTV control and diamond wire saw qualification.
