
Sawing Temperature in SiC Wafer Cutting: A Diamond Wire Saw Control Guide
Temperature is easy to treat as a secondary variable in SiC wafer cutting. A machine may report stable wire speed, the coolant tank may remain
Решения на основе прецизионной алмазной проволоки для обработки тонких стеклянных панелей
Ультратонкие стеклянные панели являются ключевыми компонентами устройств отображения с высоким разрешением, приборных панелей автомобилей и оптических систем. Точная резка по профилю необходима для получения сложных форм при сохранении прочности конструкции и предотвращении сколов или поломок по краям. Резка алмазной нитью представляет собой бесконтактный метод обработки хрупких стеклянных материалов, не вызывающий напряжений.
Наши системы обеспечивают точность на уровне микронов при резке защитного стекла, сенсорных панелей и ультратонкого стекла для дисплеев. Оптимизированная траектория резания и технология резки с минимальным напряжением предотвращают возникновение внутренних напряжений и деформаций, гарантируя превосходное качество при последующей ламинировании и склеивании.
Наши системы, идеально подходящие для крупносерийного производства электроники, отличаются высокой скоростью обработки и совместимостью с автоматизированными производственными линиями. Благодаря компактной конструкции и гибкой конфигурации они подходят как для разработки прототипов, так и для крупносерийного производства дисплейных панелей.
Наши системы резки алмазной нитью обеспечивают резку профилей без заусенцев и без остаточных напряжений для ультратонкого стекла дисплеев, защитного стекла и автомобильных стеклянных панелей. Разработанные для крупносерийного производства электроники, эти системы обеспечивают точность размеров на уровне микронов, исключая сколы и поломки кромок даже при работе со стеклом толщиной всего 0,1 мм. Оптимизированная траектория движения проволоки и контроль натяжения гарантируют стабильное качество резки крупноформатного стекла, отвечая строгим требованиям производства сенсорных экранов, бытовой электроники и автомобильных дисплеев.
| НЕТ. | Параметр | Технические характеристики |
| 1 | Модель | EW-D2236 |
| 2 | Размер пластины-держателя заготовки | 110 × 360 мм |
| 3 | Максимальная область резания заготовки | 220 × 360 мм |
| 4 | Точность размеров реза | ±0,02 мм |
| 5 | Диапазон скоростей подачи рабочего стола | 0–1000 мм/ч |
| 6 | Вертикальный ход рабочего стола | 200 мм |
| 7 | Количество направляющих колес | 8 колес |
| 8 | Общая номинальная мощность | 22 кВт |
| 9 | Габаритные размеры (Д×Ш×В) | 1942 × 1522 × 2200 мм |
| 10 | Брутто-вес | 4800 кг |

Temperature is easy to treat as a secondary variable in SiC wafer cutting. A machine may report stable wire speed, the coolant tank may remain

A diamond wire can continue moving long after it has stopped cutting economically. It may not be broken, alarms may remain clear, and the machine

Build a SiC wafer metrology control plan after diamond wire saw cutting, covering TTV, flatness, bow, warp, edge chips and subsurface damage.

See how 800 VDC AI data center power architectures change SiC wafer cutting, kerf control, surface damage limits and supplier qualification.

Build a practical SiC slicing cost model using kerf loss, yield, wire life, cycle time, finishing allowance and diamond wire saw data.

Learn how 200 mm SiC wafer slicing changes contact length, wire bow, coolant delivery, TTV control and diamond wire saw qualification.
ewirexon.com
Как правило, отвечает в течение нескольких минут
Привет! Могу я чем-нибудь помочь?
Напишите нам в WhatsApp
🟢Онлайн | Политика конфиденциальности
Напишите нам в WhatsApp