Системы резки алмазной проволокой для высокоточного нарезки деталей
Микроэлектронные компоненты и прецизионные подложки подвергаются экстремальным нагрузкам в процессе высокоскоростного резания. Для обеспечения сверхвысокой точности, минимизации повреждений под поверхностью и предотвращения растрескивания пластин, приводящего к снижению эксплуатационных характеристик, производителям устройств необходимы стабильная динамика резания и точное управление технологическим процессом. Только так можно обеспечить надежное производство микроэлектронных компонентов с высоким выходом готовой продукции.
Микроэлектронное производство сопряжено с высокими затратами на материалы и производство. Около 30% от общей себестоимости производства приходится на неэффективную резку, чрезмерные потери в пропиле и низкий выход готовой продукции. Поэтому выбор алмазных проволочных режущих систем ewirexon с учетом конкретных технологических задач может внести решающий вклад в снижение производственных затрат.
Высокоточные проволочные пилы используются для нарезки твердых и хрупких деталей на тонкие пластины с обеспечением стабильного контроля натяжения. Их рабочие параметры, как правило, находятся в пределах оптимального технологического диапазона, который характеризуется постоянным натяжением, низким уровнем вибрации и узкой шириной реза.
Новые алмазные проволочные пилы для прецизионной резки микроэлектронных компонентов от компании ewirexon специально разработаны для высокоточного разрезания микроэлектронных компонентов и хрупких твёрдых подложек, где требуются сверхвысокая точность резки и минимальные потери материала. Новая серия «Microelectronics» обеспечивает значительно более высокую точность резки и выход материала по сравнению с продуктами конкурентов в этой области применения. Использование наших режущих систем позволяет производителям микроэлектронных компонентов сократить производственные затраты. Еще одним положительным эффектом является сокращение отходов материала и повреждений поверхности.
| НЕТ. | Параметр | Технические характеристики |
| 1 | Модель | (Настраиваемый, например, EW-200) |
| 2 | Принцип резки | Механическая холодная резка алмазной проволокой |
| 3 | Функция резки | Нарезка |
| 4 | Максимальные размеры заготовки (Д × Ш × В) | 150 × 150 × 150 мм |
| 5 | Размер рабочего стола (Д × Ш) | 160 × 160 мм |
| 6 | Точность плоскостности реза | ≤ 0,1 мм |
| 7 | Шероховатость поверхности | Ra 0,8 мкм |
| 8 | Технические характеристики алмазной проволоки | Φ0,5 × 1797 мм (диапазон диаметров: 0,35–0,8 мм) |
| 9 | Система натяжения | Сервоуправление натяжением |
| 10 | Количество направляющих колес | 3 колеса |
| 11 | Приводной двигатель | Сервомотор на заказ |
| 12 | Скорость вращения шпинделя | 4500 об/мин |
| 13 | Мощность главного двигателя | 1,1 кВт |
| 14 | Общее энергопотребление | 1,5 кВт |
| 15 | Источник питания | 220 В / 50 Гц |
| 16 | Система управления | Разработанная собственными силами модель Tongcheng T30 |
| 17 | Габаритные размеры (Д×Ш×В) | Приблизительно 850 × 800 × 950 мм |
| 18 | Брутто-вес | Около 560 кг |
Данное практическое исследование демонстрирует, как оптимальный выбор алмазных проволочных режущих систем ewirexon может помочь повысить точность резки микроэлектронных компонентов до 99,91 TP3T и, таким образом, устойчиво снизить производственные затраты на современных полупроводниковых заводах. Кроме того, решение ewirexon для прецизионной резки обеспечивает минимальные потери материала, сверхгладкое качество поверхности и более высокую производительность по сравнению с традиционными методами резки.
Хотите узнать больше о наших проектах? Не стесняйтесь, пишите нам!
Temperature is easy to treat as a secondary variable in SiC wafer cutting. A machine may report stable wire speed, the coolant tank may remain
A diamond wire can continue moving long after it has stopped cutting economically. It may not be broken, alarms may remain clear, and the machine
Build a SiC wafer metrology control plan after diamond wire saw cutting, covering TTV, flatness, bow, warp, edge chips and subsurface damage.
See how 800 VDC AI data center power architectures change SiC wafer cutting, kerf control, surface damage limits and supplier qualification.
Build a practical SiC slicing cost model using kerf loss, yield, wire life, cycle time, finishing allowance and diamond wire saw data.
Learn how 200 mm SiC wafer slicing changes contact length, wire bow, coolant delivery, TTV control and diamond wire saw qualification.
