Machining Solutions for PV Module Auxiliary Materials
Photovoltaic module production requires precision processing of a range of auxiliary materials, including solar glass, backsheets, aluminum frames, and encapsulation components. Diamond wire cutting delivers clean, stress-free cutting for these brittle and composite materials, ensuring tight tolerances and high edge quality.
Our solutions support customized profile cutting and slicing for all PV module auxiliary materials, enabling high-efficiency, low-waste processing that improves production yield and reduces manufacturing costs for module factories worldwide.
Our diamond wire cutting systems provide precise, stress-free processing for a full range of PV module auxiliary materials, including solar glass, backsheets, aluminum frames, and encapsulation components. Engineered for brittle and composite materials, they deliver clean, burr-free cuts with tight dimensional tolerances, improving production yield and reducing material waste in module manufacturing lines. With customizable profile cutting, they adapt to diverse module designs and production processes.
| НЕТ. | Параметр | Технические характеристики |
| 1 | Модель | (Настраиваемый, например, EW-200) |
| 2 | Принцип резки | Механическая холодная резка алмазной проволокой |
| 3 | Функция резки | Нарезка |
| 4 | Максимальные размеры заготовки (Д × Ш × В) | 150 × 150 × 150 мм |
| 5 | Размер рабочего стола (Д × Ш) | 160 × 160 мм |
| 6 | Точность плоскостности реза | ≤ 0,1 мм |
| 7 | Шероховатость поверхности | Ra 0,8 мкм |
| 8 | Технические характеристики алмазной проволоки | Φ0,5 × 1797 мм (диапазон диаметров: 0,35–0,8 мм) |
| 9 | Система натяжения | Сервоуправление натяжением |
| 10 | Количество направляющих колес | 3 колеса |
| 11 | Приводной двигатель | Сервомотор на заказ |
| 12 | Скорость вращения шпинделя | 4500 об/мин |
| 13 | Мощность главного двигателя | 1,1 кВт |
| 14 | Общее энергопотребление | 1,5 кВт |
| 15 | Источник питания | 220 В / 50 Гц |
| 16 | Система управления | Разработанная собственными силами модель Tongcheng T30 |
| 17 | Габаритные размеры (Д×Ш×В) | Приблизительно 850 × 800 × 950 мм |
| 18 | Брутто-вес | Около 560 кг |
Temperature is easy to treat as a secondary variable in SiC wafer cutting. A machine may report stable wire speed, the coolant tank may remain
A diamond wire can continue moving long after it has stopped cutting economically. It may not be broken, alarms may remain clear, and the machine
Build a SiC wafer metrology control plan after diamond wire saw cutting, covering TTV, flatness, bow, warp, edge chips and subsurface damage.
See how 800 VDC AI data center power architectures change SiC wafer cutting, kerf control, surface damage limits and supplier qualification.
Build a practical SiC slicing cost model using kerf loss, yield, wire life, cycle time, finishing allowance and diamond wire saw data.
Learn how 200 mm SiC wafer slicing changes contact length, wire bow, coolant delivery, TTV control and diamond wire saw qualification.
