
Sawing Temperature in SiC Wafer Cutting: A Diamond Wire Saw Control Guide
Temperature is easy to treat as a secondary variable in SiC wafer cutting. A machine may report stable wire speed, the coolant tank may remain
Bearbeitungslösungen für Hilfsmaterialien für PV-Module
Die Herstellung von Photovoltaikmodulen erfordert die präzise Bearbeitung einer Reihe von Hilfsmaterialien, darunter Solarglas, Rückseitenfolien, Aluminiumrahmen und Verkapselungskomponenten. Das Diamantdrahtschneiden ermöglicht saubere, spannungsfreie Schnitte bei diesen spröden und Verbundwerkstoffen und gewährleistet enge Toleranzen sowie eine hohe Kantenqualität.
Unsere Lösungen ermöglichen das maßgeschneiderte Profilschneiden und Zerschneiden aller Hilfsmaterialien für PV-Module und sorgen so für eine hocheffiziente, abfallarme Verarbeitung, die die Produktionsausbeute verbessert und die Herstellungskosten für Modulfabriken weltweit senkt.
Unsere Diamantdraht-Schneidsysteme ermöglichen eine präzise und spannungsfreie Bearbeitung einer umfassenden Palette von Hilfsmaterialien für PV-Module, darunter Solarglas, Rückseitenfolien, Aluminiumrahmen und Verkapselungskomponenten. Sie wurden speziell für spröde und Verbundwerkstoffe entwickelt und liefern saubere, gratfreie Schnitte mit engen Maßtoleranzen, wodurch die Produktionsausbeute verbessert und der Materialabfall in Modulfertigungslinien reduziert wird. Dank anpassbarer Profilschneidefunktionen lassen sie sich an unterschiedliche Moduldesigns und Produktionsprozesse anpassen.
| NEIN. | Parameter | Spezifikation |
| 1 | Modell | (Individuell anpassbar, z. B. EW-200) |
| 2 | Schneidprinzip | Mechanisches Kaltschneiden mit Diamantdraht |
| 3 | Schneidefunktion | Schneiden |
| 4 | Maximale Werkstückabmessungen (L × B × H) | 150 × 150 × 150 mm |
| 5 | Abmessungen des Arbeitstisches (L × B) | 160 × 160 mm |
| 6 | Genauigkeit der Schnittebenheit | ≤ 0,1 mm |
| 7 | Oberflächenrauheit | Ra 0,8 μm |
| 8 | Spezifikation für Diamantdraht | Φ0,5 × 1797 mm (Durchmesserbereich: 0,35–0,8 mm) |
| 9 | Spannsystem | Servo-Spannungsregelung |
| 10 | Anzahl der Führungsräder | 3 Räder |
| 11 | Antriebsmotor | Maßgefertigter Servomotor |
| 12 | Spindeldrehzahl | 4500 U/min |
| 13 | Leistung des Hauptmotors | 1,1 kW |
| 14 | Gesamtstromverbrauch | 1,5 kW |
| 15 | Stromversorgung | 220 V / 50 Hz |
| 16 | Steuerungssystem | Eigenentwickeltes Tongcheng T30 |
| 17 | Grundfläche (L × B × H) | ca. 850 × 800 × 950 mm |
| 18 | Bruttogewicht | ca. 560 kg |

Temperature is easy to treat as a secondary variable in SiC wafer cutting. A machine may report stable wire speed, the coolant tank may remain

A diamond wire can continue moving long after it has stopped cutting economically. It may not be broken, alarms may remain clear, and the machine

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