Hochpräzise Diamantdraht-Schneidsysteme zum Schneiden von Substraten
SiC-Blöcke, Substrate aus Verbindungshalbleitern und Materialien mit großer Bandlücke sind beim Hochgeschwindigkeitsschneiden erheblichen mechanischen Belastungen und thermischen Einwirkungen ausgesetzt. Um eine hervorragende Oberflächenqualität und minimale Schäden unter der Oberfläche zu gewährleisten sowie Absplitterungen oder Mikrorisse zu vermeiden, die zu einem Ausfall der Bauelemente führen können, benötigen Halbleiterhersteller äußerst stabile Schneidprozesse und eine präzise Prozesssteuerung. Nur so lässt sich eine zuverlässige Produktion hochwertiger Wafer mit hoher Ausbeute erreichen.
Die Verarbeitung von SiC und Verbindungshalbleitern ist mit extrem hohen Material- und Produktionskosten verbunden. Etwa 30% der Gesamtkosten für die Substratherstellung entfallen auf ineffizientes Schneiden, Materialverlust und geringe Ausbeute und nicht allein auf die Rohstoffe. Die Auswahl der richtigen Diamantdraht-Schneidsysteme für bestimmte Anwendungen kann daher die Produktionskosten erheblich senken und die Effizienz steigern.
Hochpräzise Diamantdrahtsägen werden eingesetzt, um harte, spröde Barren unter stabiler Zug- und Vorschubsteuerung in dünne Wafer zu schneiden. Ihre Betriebsparameter sind auf ein stabiles Prozessfenster mit konstanter Drahtspannung, geringen Vibrationen und einer schmalen Schnittfuge optimiert.
Die neuen Diamantdraht-Schneidsysteme für SiC und Verbindungshalbleiter von ewirexon wurden speziell für das hochpräzise Schneiden von SiC-Blöcken und Substraten mit großer Bandlücke entwickelt, bei denen eine extrem hohe Waferausbeute und minimale Oberflächenbeschädigungen erforderlich sind. Die neue SiC-Serie erzielt in diesem Anwendungsbereich eine deutlich höhere Materialausbeute als Konkurrenzprodukte. Der Einsatz unserer Schneidsysteme ermöglicht Einsparungen bei den Produktionskosten für Halbleiterfabriken. Ein weiterer positiver Nebeneffekt ist die Reduzierung von Materialabfall und Oberflächenschäden.
| NEIN. | Parameter | Spezifikation |
| 1 | Modell | TCQF400LNC-FM-HL |
| 2 | Schneidprinzip | Endloser Diamantdraht / Mechanisches Schneiden |
| 3 | Schneidefunktionen | Zuschneiden / Winkel- und Profilzuschnitt |
| 4 | Maximale Werkstückgröße (mm) | Φ600 mm, Höhe 500 mm |
| 5 | Größe der Arbeitsfläche (mm) | Drehteller Ø380 |
| 6 | Genauigkeit der Schnittplanarität (mm) | 0.08 |
| 7 | Oberflächenrauheit (μm) | Ra 0,8 μm |
| 8 | Drahtspezifikation (mm) | Ø 0,65–1,0/2580 |
| 9 | Spannsystem | Regelung der konstanten Drahtspannung |
| 10 | Anzahl der Führungsräder | 4 Räder |
| 11 | Antriebsmotor | Servomotor |
| 12 | Drahtgeschwindigkeit (m/s) | 51Max (einstellbar) |
| 13 | Gesamtleistung (kW) | 2.8 |
| 14 | Spannung | 220 V, 50 Hz |
| 15 | Steuerungssystem | Maßgeschneidertes Tongcheng T32-System |
| 16 | Abmessungen (L × B × H) (mm) | 1350 × 1066 × 1968 |
| 17 | Bruttogewicht kg | 720 |
Diese Fallstudie zeigt, wie die optimale Auswahl von ewirexon-Diamantdrahtschneidesystemen dazu beitragen kann, die Waferausbeute bei der SiC- und Verbindungshalbleiterverarbeitung um bis zu 15% zu steigern und damit die Produktionskosten von Leistungshalbleiterfabriken nachhaltig zu senken. Darüber hinaus sorgt die SiC-Schneidlösung von ewirexon im Vergleich zu herkömmlichen Schneidverfahren für minimale Oberflächenbeschädigungen, weniger Materialverlust und einen höheren Produktionsdurchsatz.
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