SiC और कंपाउंड सेमीकंडक्टर कटिंग

SiC इंगोट्स, कंपाउंड सेमीकंडक्टर सब्सट्रेट्स और वाइड-बैंडगैप सामग्रियों को उच्च-गति स्लाइसिंग के दौरान महत्वपूर्ण यांत्रिक तनाव और तापीय प्रभाव का सामना करना पड़ता है। उत्कृष्ट सतह गुणवत्ता सुनिश्चित करने, न्यूनतम उप-सतही क्षति रखने और चिपिंग या सूक्ष्म-दरारों से बचने के लिए, जो डिवाइस की विफलता का कारण बनती हैं, सेमीकंडक्टर निर्माताओं को अत्यधिक स्थिर कटिंग प्रक्रियाओं और सटीक प्रक्रिया नियंत्रण की आवश्यकता होती है। यह उच्च-गुणवत्ता वाले वेफर्स का विश्वसनीय, उच्च उपज उत्पादन प्राप्त करने का एकमात्र तरीका है।.

SiC और यौगिक अर्धचालकों की प्रसंस्करण प्रक्रिया में अत्यधिक सामग्री और उत्पादन लागत शामिल होती है। कुल सब्सट्रेट निर्माण लागत का लगभग 30% अकुशल कटिंग, सामग्री हानि और कम उपज से आता है, न कि केवल कच्चे माल से। इसलिए विशिष्ट अनुप्रयोगों के लिए सही डायमंड वायर कटिंग सिस्टम चुनने से उत्पादन लागत में काफी कमी आ सकती है और दक्षता में सुधार हो सकता है।.

उच्च-सटीकता वाले हीरे के तार आरी का उपयोग कठोर, भंगुर इनगॉट्स को स्थिर तनाव और फीड नियंत्रण के साथ पतले वेफर्स में काटने के लिए किया जाता है। उनके परिचालन पैरामीटर एक स्थिर प्रक्रिया विंडो के लिए अनुकूलित किए जाते हैं, जिसमें तार का तनाव सुसंगत, कंपन कम और केर्फ की चौड़ाई संकीर्ण हो।.