
ダイヤモンドワイヤーソーの工場出荷前検査:実用的なFATガイド
安全性、性能、ウェーハ、消耗品、データ、トレーニング、およびSATの引き継ぎを網羅した、定量的に評価可能なダイヤモンドワイヤーソーに関する工場受入試験を構築する。.
基板スライシング用高精度ダイヤモンドワイヤー切断システム
SiCインゴット、化合物半導体基板、およびワイドバンドギャップ材料は、高速スライシングの過程で大きな機械的応力や熱的影響を受けます。 優れた表面品質を確保し、表面下への損傷を最小限に抑え、デバイスの故障につながるチッピングや微小亀裂を回避するためには、半導体メーカーは極めて安定した切断プロセスと精密なプロセス制御を必要としています。これこそが、高品質なウェーハを信頼性高く、高歩留まりで生産するための唯一の方法です。.
SiCや化合物半導体の加工には、極めて高い材料費と製造コストがかかります。基板製造コスト全体の約30%は、原材料費そのものというよりも、非効率な切断、材料ロスの発生、および歩留まりの低さに起因しています。したがって、特定の用途に適したダイヤモンドワイヤー切断システムを選択することで、製造コストを大幅に削減し、効率を向上させることができます。.
高精度ダイヤモンドワイヤーソーは、硬くて脆いインゴットを、安定した張力と送り制御のもとで薄いウェーハに切断するために使用されます。その動作パラメータは、一貫したワイヤー張力、低振動、狭い切削幅を実現し、安定したプロセスウィンドウが得られるよう最適化されています。.
ewirexon社の新しいSiCおよび化合物半導体用ダイヤモンドワイヤー切断システムは、SiCインゴットやワイドバンドギャップ基板の高精度スライス用に特別に開発されたもので、極めて高いウェーハ歩留まりと表面損傷の最小化が求められる用途に対応しています。 この新しいSiCシリーズは、この用途分野において競合製品よりも大幅に高い材料歩留まりを実現しています。当社の切断システムを採用することで、半導体ファブにおける生産コストの削減が可能となります。また、材料の無駄や表面損傷の低減も、さらなるメリットとして挙げられます。.
| NO. | パラメータ | 仕様 |
| 1 | モデル | TCQF400LNC-FM-HL |
| 2 | 切断の原理 | エンドレス・ダイヤモンドワイヤー/物理的切断 |
| 3 | 切断機能 | スライス加工/角度・形状切断 |
| 4 | 最大ワークサイズ(mm) | Φ600mm、高さ500mm |
| 5 | 作業台のサイズ(mm) | Ø380 ターンテーブル |
| 6 | 切断平面度精度(mm) | 0.08 |
| 7 | 表面粗さ(μm) | Ra 0.8μm |
| 8 | ワイヤの仕様(mm) | Ø0.65–1.0/2580 |
| 9 | テンションシステム | ワイヤ張力の恒常制御 |
| 10 | ガイドホイールの数量 | 4輪 |
| 11 | 駆動モーター | サーボモーター |
| 12 | ワイヤ速度(m/s) | 51Max(調整可能) |
| 13 | 総出力(kW) | 2.8 |
| 14 | 電圧 | 220V 50Hz |
| 15 | 制御システム | 特注開発のTongcheng T32システム |
| 16 | 外形寸法(長さ×幅×高さ)(mm) | 1350×1066×1968 |
| 17 | 総重量(kg) | 720 |
このケーススタディでは、ewirexon社のダイヤモンドワイヤー切断システムを最適に選定することで、SiCおよび化合物半導体の加工におけるウェーハ歩留まりを最大15%まで向上させ、ひいてはパワー半導体ファブの製造コストを持続的に低減できることを示しています。 さらに、ewirexonのSiCスライシングソリューションは、従来の切断方法と比較して、表面損傷を最小限に抑え、材料のロスを削減し、生産スループットを向上させます。.
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