SiCおよび化合物半導体の切断


基板スライシング用高精度ダイヤモンドワイヤー切断システム

SiCインゴット、化合物半導体基板、およびワイドバンドギャップ材料は、高速スライシングの過程で大きな機械的応力や熱的影響を受けます。 優れた表面品質を確保し、表面下への損傷を最小限に抑え、デバイスの故障につながるチッピングや微小亀裂を回避するためには、半導体メーカーは極めて安定した切断プロセスと精密なプロセス制御を必要としています。これこそが、高品質なウェーハを信頼性高く、高歩留まりで生産するための唯一の方法です。.

SiCや化合物半導体の加工には、極めて高い材料費と製造コストがかかります。基板製造コスト全体の約30%は、原材料費そのものというよりも、非効率な切断、材料ロスの発生、および歩留まりの低さに起因しています。したがって、特定の用途に適したダイヤモンドワイヤー切断システムを選択することで、製造コストを大幅に削減し、効率を向上させることができます。.

高精度ダイヤモンドワイヤーソーは、硬くて脆いインゴットを、安定した張力と送り制御のもとで薄いウェーハに切断するために使用されます。その動作パラメータは、一貫したワイヤー張力、低振動、狭い切削幅を実現し、安定したプロセスウィンドウが得られるよう最適化されています。.

SiCおよび化合物半導体プロセス

ewirexon SiCおよび化合物半導体用ダイヤモンドワイヤー切断システム

ewirexon社の新しいSiCおよび化合物半導体用ダイヤモンドワイヤー切断システムは、SiCインゴットやワイドバンドギャップ基板の高精度スライス用に特別に開発されたもので、極めて高いウェーハ歩留まりと表面損傷の最小化が求められる用途に対応しています。 この新しいSiCシリーズは、この用途分野において競合製品よりも大幅に高い材料歩留まりを実現しています。当社の切断システムを採用することで、半導体ファブにおける生産コストの削減が可能となります。また、材料の無駄や表面損傷の低減も、さらなるメリットとして挙げられます。.

  • 一般的なSiC加工ラインにおける切断システムの材料歩留まり向上による、生産コストの削減の可能性
  • 資源の最適な活用
  • 切断溝によるロスが最小限に抑えられ、表面下の損傷も少ないため、生産における材料コストの削減が可能
  • モジュール構造とコンパクトな設置面積により、柔軟かつコンパクトな装置設計が可能
  • 使いやすい操作性と遠隔監視機能により、設置やメンテナンス時の作業がより容易になります
  • ダイヤモンドワイヤーおよび機械部品の耐用年数の延長によるメンテナンスコストの削減
  • カスタマイズされたプロセスパラメータと完全なシステム統合により、コスト効率に優れたターンキーシステムソリューションを実現
  • SiCおよび化合物半導体プロセス
  • パワー半導体ウェハーの製造
  • インゴットのスライシングおよび基板の加工
  • 広バンドギャップ材料の切断
  • 研究開発ラボおよびパイロット生産ライン
  • 先端パッケージング施設
NO.パラメータ仕様
1モデルTCQF400LNC-FM-HL
2切断の原理エンドレス・ダイヤモンドワイヤー/物理的切断
3切断機能スライス加工/角度・形状切断
4最大ワークサイズ(mm)Φ600mm、高さ500mm
5作業台のサイズ(mm)Ø380 ターンテーブル
6切断平面度精度(mm)0.08
7表面粗さ(μm)Ra 0.8μm
8ワイヤの仕様(mm)Ø0.65–1.0/2580
9テンションシステムワイヤ張力の恒常制御
10ガイドホイールの数量4輪
11駆動モーターサーボモーター
12ワイヤ速度(m/s)51Max(調整可能)
13総出力(kW)2.8
14電圧220V 50Hz
15制御システム特注開発のTongcheng T32システム
16外形寸法(長さ×幅×高さ)(mm)1350×1066×1968
17総重量(kg)720
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事例研究:SiCおよび化合物半導体の加工

このケーススタディでは、ewirexon社のダイヤモンドワイヤー切断システムを最適に選定することで、SiCおよび化合物半導体の加工におけるウェーハ歩留まりを最大15%まで向上させ、ひいてはパワー半導体ファブの製造コストを持続的に低減できることを示しています。 さらに、ewirexonのSiCスライシングソリューションは、従来の切断方法と比較して、表面損傷を最小限に抑え、材料のロスを削減し、生産スループットを向上させます。.

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