Low-Stress Cutting Systems for Hard & Brittle Electronic Materials
Brittle electronic plates, including ceramic substrates, semiconductor wafers, and glass-ceramic components, present unique machining challenges due to their high hardness and low fracture toughness. Precision machining is required to achieve tight dimensional tolerances while avoiding surface damage and cracking.
Our diamond wire cutting systems excel at ultra-precise machining of hard brittle materials, achieving micron-level accuracy and minimal surface damage. The advanced cutting technology controls subsurface damage effectively, making it ideal for microelectronic components, power devices, and sensor manufacturing.
Engineered for the most demanding semiconductor and electronics applications, our systems feature high-rigidity frames and intelligent process control. They deliver stable, repeatable performance for R&D prototypes and high-volume production lines alike, meeting the strict quality standards of the 5G, aerospace, and medical electronics industries.
当社のダイヤモンドワイヤー切断システムは、セラミック基板、半導体ウェハー、ガラスセラミック部品など、硬くて脆い電子部品の複雑な加工向けに設計されています。 この先進的な切断技術により、表面へのダメージを最小限に抑えながら超微細なスライスを実現するため、マイクロエレクトロニクス部品、パワーデバイス、センサーの製造に最適です。カスタマイズ可能な切断経路と高剛性の機械フレームにより、最も加工が困難な脆性材料に対しても、一貫した精度を提供します。.
| NO. | パラメータ | 仕様 |
| 1 | モデル | TCQF400LNC-FM-HL |
| 2 | 切断の原理 | エンドレス・ダイヤモンドワイヤー／物理的切断 |
| 3 | 切断機能 | スライス加工／角度・形状切断 |
| 4 | 最大ワークサイズ（mm） | Φ600mm、高さ500mm |
| 5 | 作業台のサイズ（mm） | Ø380 转台 |
| 6 | 切断平面度精度（mm） | 0.08 |
| 7 | 表面粗さ（μm） | Ra 0.8μm |
| 8 | ワイヤの仕様（mm） | Ø0.65–1.0/2580 |
| 9 | テンションシステム | ワイヤ張力の恒常制御 |
| 10 | ガイドホイールの数量 | 4輪 |
| 11 | 駆動モーター | サーボモーター |
| 12 | ワイヤ速度（m/s） | 51Max（調整可能） |
| 13 | 総出力（kW） | 2.8 |
| 14 | 電圧 | 220V 50Hz |
| 15 | 制御システム | 特注開発のTongcheng T32システム |
| 16 | 外形寸法（長さ×幅×高さ）（mm） | 1350×1066×1968 |
| 17 | 総重量（kg） | 720 |
Temperature is easy to treat as a secondary variable in SiC wafer cutting. A machine may report stable wire speed, the coolant tank may remain
A diamond wire can continue moving long after it has stopped cutting economically. It may not be broken, alarms may remain clear, and the machine
Build a SiC wafer metrology control plan after diamond wire saw cutting, covering TTV, flatness, bow, warp, edge chips and subsurface damage.
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