
Sawing Temperature in SiC Wafer Cutting: A Diamond Wire Saw Control Guide
Temperature is easy to treat as a secondary variable in SiC wafer cutting. A machine may report stable wire speed, the coolant tank may remain
Maßgeschneiderte Schneidsysteme für die Bearbeitung von Graphit und Kohlenstoffmaterialien
Graphit- und Kohlenstoffwerkstoffe sind für die Halbleiter-, EDM- und Neue-Energie-Branchen unverzichtbar und werden wegen ihrer Hochtemperaturbeständigkeit und Leitfähigkeit geschätzt. Durch präzises, maßgeschneidertes Schneiden werden diese Werkstoffe zu komplexen Bauteilen verarbeitet, was sich unmittelbar auf Genauigkeit und Effizienz auswirkt. Das Diamantdrahtschneiden hat sich als optimale Lösung etabliert, da es geringere Schnittverluste, sauberere Schnitte und eine größere Flexibilität als herkömmliche Verfahren bietet.
In Fertigungslinien führen Diamantdrahtsysteme mehrachsige, programmierbare Schneidvorgänge durch und ermöglichen so die einmalige Formgebung komplexer Profile mit glatten Kanten und minimaler Staubentwicklung. Eine stabile Spannungsregelung und eine optimierte Kühlung verhindern Ausbrüche und Verformungen, was für hochreine Kohlenstoffkomponenten von entscheidender Bedeutung ist.
Unsere Systeme maximieren die Materialausbeute bei extrem geringen Schnittverlusten, gewährleisten einen sauberen, staubarmen Betrieb und sorgen für eine stabile Leistung im Dauerbetrieb, wodurch großformatige Werkstücke und Sonderformen verarbeitet werden können.
Unsere Diamantdrahtschneidsysteme ermöglichen hochpräzises, maßgeschneidertes Profilschneiden von Graphitelektroden, Kohlenstoffverbundwerkstoffen, kohlenstofffaserverstärkten Materialien und hochreinen Kohlenstoffkomponenten. Die Maschinen sind für eine saubere, staubarme Bearbeitung ausgelegt und gewährleisten minimalen Materialverlust sowie eine strenge Maßhaltigkeit – selbst bei komplexen Formen und großformatigen Werkstücken. Dank stabiler Drahtspannung und intelligenter Bahnplanung liefern wir gleichbleibende Schnittqualität für Anwendungen in den Bereichen Halbleiter, Elektroerosion (EDM), Metallurgie und neue Energien.
| NEIN. | Parameter | Spezifikation |
| 1 | Modell | TCQF15030CNC |
| 2 | Schneidprinzip | Endloser Diamantdraht / Mechanisches Schneiden |
| 3 | Schneidefunktionen | Schneiden / 2D-Konturschneiden |
| 4 | Maximale Werkstückgröße (mm) | 1200 × 1000 × 1000 mm (L × B × H) |
| 5 | Größe der Arbeitsfläche (mm) | 1500×300 |
| 6 | Genauigkeit der Schnittplanarität (mm) | 0.1 |
| 7 | Oberflächenrauheit (μm) | Ra 0,8 μm |
| 8 | Drahtspezifikation (mm) | Ø 0,65–1,0/6250 |
| 9 | Spannsystem | Regelung der konstanten Drahtspannung |
| 10 | Anzahl der Führungsräder | 4 Räder |
| 11 | Antriebsmotor | Servomotor |
| 12 | Drahtgeschwindigkeit (m/s) | 51Max (einstellbar) |
| 13 | Gesamtleistung (kW) | 3.6 |
| 14 | Spannung | 220 V, 50 Hz |
| 15 | Steuerungssystem | Maßgeschneidertes Tongcheng T33-System |
| 16 | Abmessungen (L × B × H) (mm) | 3200 × 1500 × 1500 |
| 17 | Bruttogewicht kg | 3200 |

Temperature is easy to treat as a secondary variable in SiC wafer cutting. A machine may report stable wire speed, the coolant tank may remain

A diamond wire can continue moving long after it has stopped cutting economically. It may not be broken, alarms may remain clear, and the machine

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