
Sawing Temperature in SiC Wafer Cutting: A Diamond Wire Saw Control Guide
Temperature is easy to treat as a secondary variable in SiC wafer cutting. A machine may report stable wire speed, the coolant tank may remain
Präzisions-Diamantdrahtschneiden für die Herstellung von Solarwafern
Hocheffiziente N-Typ- und P-Typ-Solarwafer bilden das Herzstück der Photovoltaikmodule der nächsten Generation. Das präzise Diamantdrahtschneiden ist entscheidend für die Herstellung ultradünner, hochwertiger Wafer, die den Umwandlungswirkungsgrad der Zellen und die Materialausbeute maximieren. Dieses Verfahren hat das herkömmliche Sägen abgelöst und bietet geringere Schnittverluste, einen höheren Durchsatz sowie eine hervorragende Oberflächenqualität für die PV-Massenfertigung.
Unsere Diamantdrahtsysteme gewährleisten eine gleichbleibende Waferdicke, minimale Bruchraten und kontrollierte Oberflächenbeschädigungen. Damit ermöglichen sie die Produktion ultradünner Wafer mit hohem Durchsatz und erfüllen gleichzeitig die strengen Qualitätsanforderungen moderner Solarzellentechnologien.
Unsere Diamantdraht-Schneidlösungen sind speziell auf die hocheffiziente PV-Wafer-Produktion zugeschnitten und liefern ultradünne, hochwertige Wafer, die den Wirkungsgrad von Solarzellen direkt steigern. Die Systeme zeichnen sich durch eine fortschrittliche Optimierung des Drahtverlaufs und eine Echtzeitüberwachung aus und gewährleisten so eine gleichbleibende Dicke, Ebenheit und Oberflächenqualität für N-Typ-TOPCon-, HJT- und andere Solarzellen der nächsten Generation. Dank der schonenden Schneidetechnologie minimieren sie das Verziehen der Wafer sowie Mikrorisse und verbessern so die Zellausbeute und die Modulleistung erheblich.
| NEIN. | Parameter | Spezifikation |
| 1 | Modell | TCQF15030CNC |
| 2 | Schneidprinzip | Endloser Diamantdraht / Mechanisches Schneiden |
| 3 | Schneidefunktionen | Schneiden / 2D-Konturschneiden |
| 4 | Maximale Werkstückgröße (mm) | 1200 × 1000 × 1000 mm (L × B × H) |
| 5 | Größe der Arbeitsfläche (mm) | 1500×300 |
| 6 | Genauigkeit der Schnittplanarität (mm) | 0.1 |
| 7 | Oberflächenrauheit (μm) | Ra 0,8 μm |
| 8 | Drahtspezifikation (mm) | Ø 0,65–1,0/6250 |
| 9 | Spannsystem | Regelung der konstanten Drahtspannung |
| 10 | Anzahl der Führungsräder | 4 Räder |
| 11 | Antriebsmotor | Servomotor |
| 12 | Drahtgeschwindigkeit (m/s) | 51Max (einstellbar) |
| 13 | Gesamtleistung | 3.6 |
| 14 | Spannung | 220 V, 50 Hz |
| 15 | Steuerungssystem | Maßgeschneidertes Tongcheng T33-System |
| 16 | Abmessungen (L × B × H) (mm) | 3200 × 1500 × 1500 |
| 17 | Bruttogewicht kg | 3200 |

Temperature is easy to treat as a secondary variable in SiC wafer cutting. A machine may report stable wire speed, the coolant tank may remain

A diamond wire can continue moving long after it has stopped cutting economically. It may not be broken, alarms may remain clear, and the machine

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