Präzisions-Diamantdrahtlösungen für die Bearbeitung dünner Glasscheiben
Ultradünne Glasplatten sind wichtige Komponenten in hochauflösenden Anzeigegeräten, Fahrzeuginstrumenten und optischen Anwendungen. Präzises Profilschneiden ist unerlässlich, um komplexe Formen zu erzielen und dabei die strukturelle Integrität zu wahren sowie Kantenausbrüche oder Brüche zu vermeiden. Das Diamantdrahtschneiden bietet eine berührungslose, spannungsfreie Lösung für die Bearbeitung empfindlicher Glasmaterialien.
Unsere Systeme bieten eine Genauigkeit im Mikrometerbereich beim Schneiden von Deckglas, Touchpanels und ultradünnem Displayglas. Der optimierte Drahtverlauf und die spannungsarme Schneidetechnologie verhindern innere Spannungen und Verformungen und gewährleisten so eine hervorragende Qualität für die anschließende Laminierung und Verklebung.
Unsere Systeme eignen sich ideal für die Elektronikfertigung in Großserie und zeichnen sich durch hohe Verarbeitungsgeschwindigkeiten sowie Kompatibilität mit automatisierten Fertigungslinien aus. Dank ihrer kompakten Bauweise und flexiblen Konfiguration eignen sie sich sowohl für die Prototypenentwicklung als auch für die Großserienfertigung von Displaypanels.
Unsere Diamantdraht-Schneidsysteme ermöglichen gratfreies und spannungsfreies Profilschneiden von ultradünnem Displayglas, Deckglas und Autoglasplatten. Diese Systeme wurden für die Elektronikfertigung in Großserie entwickelt und erzielen eine Maßgenauigkeit im Mikrometerbereich, während Kantenausbrüche und Brüche selbst bei Glasdicken von nur 0,1 mm vermieden werden. Der optimierte Drahtverlauf und die Spannungsregelung gewährleisten eine gleichbleibende Schnittqualität bei großformatigem Glas und erfüllen damit die strengen Anforderungen der Produktion von Touchscreens, Unterhaltungselektronik und Fahrzeugdisplays.
| NEIN. | Parameter | Spezifikation |
| 1 | Modell | EW-D2236 |
| 2 | Abmessungen der Werkstückträgerplatte | 110 × 360 mm |
| 3 | Maximaler Bearbeitungsbereich für Werkstücke | 220 × 360 mm |
| 4 | Maßgenauigkeit beim Schneiden | ±0,02 mm |
| 5 | Vorschubgeschwindigkeitsbereich des Arbeitstisches | 0 bis 1000 mm/h |
| 6 | Vertikaler Verfahrweg des Arbeitstisches | 200 mm |
| 7 | Anzahl der Führungsräder | 8 Räder |
| 8 | Gesamtnennleistung | 22 kW |
| 9 | Grundfläche (L × B × H) | 1942 × 1522 × 2200 mm |
| 10 | Bruttogewicht | 4800 kg |
Temperature is easy to treat as a secondary variable in SiC wafer cutting. A machine may report stable wire speed, the coolant tank may remain
A diamond wire can continue moving long after it has stopped cutting economically. It may not be broken, alarms may remain clear, and the machine
Build a SiC wafer metrology control plan after diamond wire saw cutting, covering TTV, flatness, bow, warp, edge chips and subsurface damage.
See how 800 VDC AI data center power architectures change SiC wafer cutting, kerf control, surface damage limits and supplier qualification.
Build a practical SiC slicing cost model using kerf loss, yield, wire life, cycle time, finishing allowance and diamond wire saw data.
Learn how 200 mm SiC wafer slicing changes contact length, wire bow, coolant delivery, TTV control and diamond wire saw qualification.
