
Sawing Temperature in SiC Wafer Cutting: A Diamond Wire Saw Control Guide
Temperature is easy to treat as a secondary variable in SiC wafer cutting. A machine may report stable wire speed, the coolant tank may remain
Präzisionslösungen zum Diamantdrahtschneiden für die PV-Fertigung
Monokristalline und polykristalline Siliziumblöcke sind die grundlegenden Rohstoffe für hocheffiziente photovoltaische Solarzellen. Das präzise Zerschneiden in ultradünne Wafer ist ein entscheidender Prozess, der die Materialausnutzung, die Waferqualität und den Wirkungsgrad von Solarmodulen direkt bestimmt. Das Diamantdrahtschneiden hat sich weltweit als Industriestandard etabliert und bietet im Vergleich zum herkömmlichen Slurry-Schneiden eine deutlich höhere Effizienz, geringere Schnittverluste und eine überlegene Oberflächenqualität.
In modernen PV-Fertigungslinien führen Diamantdrahtsägen einen mehrdrahtigen Hin- und Her-Schnitt durch, um Ingots in einem einzigen Durchgang in Hunderte von Wafern zu zerschneiden. Der Prozess erfordert höchste Präzision bei Drahtspannung, Schnittgeschwindigkeit und Kühlung, um eine gleichmäßige Dicke, minimale Bruchraten und geringe Oberflächenbeschädigungen zu gewährleisten – entscheidende Anforderungen für leistungsstarke N-Typ- und P-Typ-Solarzellen.
Unsere Diamantdraht-Schneidsysteme zeichnen sich durch extrem geringe Schnittspaltverluste zur Maximierung der Materialausbeute, einen hohen Durchsatz zur Senkung der Produktionskosten sowie einen stabilen Betrieb bei großformatigen Ingots (bis zu G12+) aus und werden damit den sich ständig weiterentwickelnden Anforderungen der globalen Solarindustrie gerecht.
| NEIN. | Parameter | Spezifikation |
| 1 | Modell | TCQF15030CNC |
| 2 | Schneidprinzip | Endloser Diamantdraht / Mechanisches Schneiden |
| 3 | Schneidefunktionen | Schneiden / 2D-Konturschneiden |
| 4 | Maximale Werkstückgröße (mm) | 1200 × 1000 × 1000 mm (L × B × H) |
| 5 | Größe der Arbeitsfläche (mm) | 1500×300 |
| 6 | Genauigkeit der Schnittplanarität (mm) | 0.1 |
| 7 | Oberflächenrauheit (μm) | Ra 0,8 μm |
| 8 | Drahtspezifikation (mm) | Ø 0,65–1,0/6250 |
| 9 | Spannsystem | Regelung der konstanten Drahtspannung |
| 10 | Anzahl der Führungsräder | 4 Räder |
| 11 | Antriebsmotor | Servomotor |
| 12 | Drahtgeschwindigkeit (m/s) | 51Max (einstellbar) |
| 13 | Gesamtleistung (kW) | 3.6 |
| 14 | Spannung | 220 V, 50 Hz |
| 15 | Steuerungssystem | Maßgeschneidertes Tongcheng T33-System |
| 16 | Abmessungen (L × B × H) (mm) | 3200 × 1500 × 1500 |
| 17 | Bruttogewicht kg | 3200 |

Temperature is easy to treat as a secondary variable in SiC wafer cutting. A machine may report stable wire speed, the coolant tank may remain

A diamond wire can continue moving long after it has stopped cutting economically. It may not be broken, alarms may remain clear, and the machine

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