Fortschrittliche Verarbeitungssysteme für die Herstellung neuartiger Funktionsmaterialien
Funktionsmaterialien neuer Art (Verbundwerkstoffe, 2D-Materialien, Energiespeichermaterialien) treiben zukunftsweisende Branchen wie die Neue-Energie-Branche und die Halbleiterindustrie voran. Durch präzise Bearbeitung werden ihre einzigartigen Eigenschaften freigesetzt, was sich unmittelbar auf die Leistungsfähigkeit der Bauelemente auswirkt. Das Diamantdrahtschneiden ist dabei die Schlüsseltechnologie, die sich durch extrem geringe Beschädigungen und eine breite Kompatibilität auszeichnet.
In Forschung, Entwicklung und Produktion ermöglichen Diamantdrahtsysteme das ultrafeine Schneiden und gewährleisten dabei minimale Schäden im Untergrund sowie eine Genauigkeit im Mikrometerbereich. Flexible Konfigurationen unterstützen sowohl die Prototypenentwicklung im Labor als auch die Massenproduktion und passen sich den sich wandelnden Materialanforderungen an.
Unsere Systeme ermöglichen ein äußerst schonendes Schneiden zum Schutz der Materialeigenschaften, hohe Präzision bei Mikrokomponenten sowie eine breite Materialkompatibilität und unterstützen damit die Technologien der nächsten Generation in den Bereichen neue Energien und Halbleiter.
Unsere Diamantdraht-Schneidsysteme ermöglichen eine hocheffiziente und hochpräzise Bearbeitung einer breiten Palette neuartiger Funktionsmaterialien, darunter Verbundwerkstoffe, Biomaterialien, 2D-Materialien, Energiespeichermaterialien und spezielle Strukturwerkstoffe. Dank ihrer Fähigkeit zum ultrafeinen Schneiden und ihrer schonenden Bearbeitungseigenschaften erfüllen sie die strengen Anforderungen sowohl an Forschungs- und Entwicklungsprototypen und die Testproduktion in Kleinserien als auch an die groß angelegte Massenproduktion.
| NEIN. | Parameter | Spezifikation |
| 1 | Modell | (Individuell anpassbar, z. B. EW-200) |
| 2 | Schneidprinzip | Mechanisches Kaltschneiden mit Diamantdraht |
| 3 | Schneidefunktion | Schneiden |
| 4 | Maximale Werkstückabmessungen (L × B × H) | 150 × 150 × 150 mm |
| 5 | Abmessungen des Arbeitstisches (L × B) | 160 × 160 mm |
| 6 | Genauigkeit der Schnittebenheit | ≤ 0,1 mm |
| 7 | Oberflächenrauheit | Ra 0,8 μm |
| 8 | Spezifikation für Diamantdraht | Φ0,5 × 1797 mm (Durchmesserbereich: 0,35–0,8 mm) |
| 9 | Spannsystem | Servo-Spannungsregelung |
| 10 | Anzahl der Führungsräder | 3 Räder |
| 11 | Antriebsmotor | Maßgefertigter Servomotor |
| 12 | Spindeldrehzahl | 4500 U/min |
| 13 | Leistung des Hauptmotors | 1,1 kW |
| 14 | Gesamtstromverbrauch | 1,5 kW |
| 15 | Stromversorgung | 220 V / 50 Hz |
| 16 | Steuerungssystem | Eigenentwickeltes Tongcheng T30 |
| 17 | Grundfläche (L × B × H) | ca. 850 × 800 × 950 mm |
| 18 | Bruttogewicht | ca. 560 kg |
Temperature is easy to treat as a secondary variable in SiC wafer cutting. A machine may report stable wire speed, the coolant tank may remain
A diamond wire can continue moving long after it has stopped cutting economically. It may not be broken, alarms may remain clear, and the machine
Build a SiC wafer metrology control plan after diamond wire saw cutting, covering TTV, flatness, bow, warp, edge chips and subsurface damage.
See how 800 VDC AI data center power architectures change SiC wafer cutting, kerf control, surface damage limits and supplier qualification.
Build a practical SiC slicing cost model using kerf loss, yield, wire life, cycle time, finishing allowance and diamond wire saw data.
Learn how 200 mm SiC wafer slicing changes contact length, wire bow, coolant delivery, TTV control and diamond wire saw qualification.
