Точная резка алмазной проволокой для производства солнечных пластин
Высокоэффективные солнечные пластины N-типа и P-типа являются основой фотоэлектрических модулей нового поколения. Прецизионная резка алмазной нитью имеет решающее значение для производства ультратонких высококачественных пластин, которые позволяют максимально повысить коэффициент преобразования энергии и выход материала. Этот процесс заменил традиционную пилку, обеспечив меньшие потери на пропил, более высокую производительность и превосходное качество поверхности при массовом производстве фотоэлектрических модулей.
Наши системы с алмазной проволокой обеспечивают стабильную толщину пластин, минимальное количество поломок и контролируемое повреждение поверхности, что позволяет организовать высокопроизводительное производство ультратонких пластин с соблюдением строгих требований к качеству, предъявляемых современными технологиями производства солнечных элементов.
Наши решения для резки алмазной нитью разработаны специально для высокоэффективного производства фотоэлектрических пластин и позволяют получать ультратонкие высококачественные пластины, которые напрямую повышают коэффициент преобразования солнечных элементов. Системы оснащены передовыми функциями оптимизации траектории резки и мониторинга в режиме реального времени, что гарантирует стабильную толщину, плоскостность и качество поверхности для солнечных элементов N-типа TOPCon, HJT и других элементов нового поколения. Благодаря технологии резки с минимальным повреждением они сводят к минимуму коробление пластин и появление микротрещин, что значительно повышает выход готовых элементов и производительность модулей.
| НЕТ. | Параметр | Технические характеристики |
| 1 | Модель | TCQF15030CNC |
| 2 | Принцип резки | Бесконечная алмазная леска / Механическая резка |
| 3 | Функции резки | Резка / 2D-контурная резка |
| 4 | Максимальный размер заготовки (мм) | 1200 × 1000 × 1000 мм (Д × Ш × В) |
| 5 | Размер рабочего стола (мм) | 1500×300 |
| 6 | Точность плоскостности реза (мм) | 0.1 |
| 7 | Шероховатость поверхности (мкм) | Ra 0,8 мкм |
| 8 | Характеристики проволоки (мм) | Ø0,65–1,0/6250 |
| 9 | Система натяжения | Контроль постоянного натяжения проволоки |
| 10 | Количество направляющих колес | 4 колеса |
| 11 | Приводной двигатель | Сервомотор |
| 12 | Скорость движения проволоки (м/с) | 51Max (регулируемый) |
| 13 | Общая мощность | 3.6 |
| 14 | Напряжение | 220 В, 50 Гц |
| 15 | Система управления | Разработанная по индивидуальному заказу система Tongcheng T33 |
| 16 | Габаритные размеры (Д × Ш × В) (мм) | 3200×1500×1500 |
| 17 | Брутто-вес, кг | 3200 |
Temperature is easy to treat as a secondary variable in SiC wafer cutting. A machine may report stable wire speed, the coolant tank may remain
A diamond wire can continue moving long after it has stopped cutting economically. It may not be broken, alarms may remain clear, and the machine
Build a SiC wafer metrology control plan after diamond wire saw cutting, covering TTV, flatness, bow, warp, edge chips and subsurface damage.
See how 800 VDC AI data center power architectures change SiC wafer cutting, kerf control, surface damage limits and supplier qualification.
Build a practical SiC slicing cost model using kerf loss, yield, wire life, cycle time, finishing allowance and diamond wire saw data.
Learn how 200 mm SiC wafer slicing changes contact length, wire bow, coolant delivery, TTV control and diamond wire saw qualification.
