Sistemas de corte con hilo de diamante de alta precisión para el corte de sustratos
Los lingotes de SiC, los sustratos de semiconductores compuestos y los materiales de banda ancha sufren una tensión mecánica y un impacto térmico considerables durante el corte a alta velocidad. Para garantizar una excelente calidad superficial, minimizar los daños subsuperficiales y evitar astillamientos o microfisuras que provoquen fallos en los dispositivos, los fabricantes de semiconductores necesitan procesos de corte altamente estables y un control preciso de los mismos. Esta es la única forma de lograr una producción fiable y de alto rendimiento de obleas de alta calidad.
El procesamiento de SiC y semiconductores compuestos conlleva unos costes de material y producción extremadamente elevados. Aproximadamente el 30% del coste total de fabricación de los sustratos se debe a un corte ineficiente, a la pérdida de material y a un bajo rendimiento, más que a las materias primas en sí. Por lo tanto, elegir los sistemas de corte con hilo de diamante adecuados para cada aplicación específica puede reducir considerablemente los costes de producción y mejorar la eficiencia.
Las sierras de hilo de diamante de alta precisión se utilizan para cortar lingotes duros y quebradizos en obleas finas, con un control estable de la tensión y el avance. Sus parámetros de funcionamiento están optimizados para garantizar un margen de proceso estable, con una tensión constante del hilo, bajas vibraciones y un ancho de corte reducido.
Los nuevos sistemas de corte con hilo de diamante para SiC y semiconductores compuestos de ewirexon se han desarrollado especialmente para el corte de alta precisión de lingotes de SiC y sustratos de banda ancha, en los que se requiere un rendimiento ultraalto de las obleas y un daño superficial mínimo. La nueva serie SiC alcanza un rendimiento de material significativamente mayor que los productos de la competencia en este ámbito de aplicación. El uso de nuestros sistemas de corte permite ahorrar en costes de producción para las fábricas de semiconductores. Otro efecto positivo es la reducción del desperdicio de material y de los daños superficiales.
| N.º. | Parámetro | Especificaciones |
| 1 | Modelo | TCQF400LNC-FM-HL |
| 2 | Principio de corte | Alambre de diamante sin fin / Corte físico |
| 3 | Funciones de corte | Corte en rodajas / Corte en ángulo y de perfiles |
| 4 | Tamaño máximo de la pieza de trabajo (mm) | Φ600 mm, altura 500 mm |
| 5 | Dimensiones de la mesa de trabajo (mm) | Plataforma giratoria de Ø380 |
| 6 | Precisión de planitud del corte (mm) | 0.08 |
| 7 | Rugosidad superficial (μm) | Ra 0,8 μm |
| 8 | Especificaciones del alambre (mm) | Ø 0,65–1,0/2580 |
| 9 | Sistema de tensión | Control de tensión constante del cable |
| 10 | Cantidad de ruedas guía | 4 ruedas |
| 11 | Motor de accionamiento | Servomotor |
| 12 | Velocidad del alambre (m/s) | 51Max (ajustable) |
| 13 | Potencia total (kW) | 2.8 |
| 14 | Tensión | 220 V, 50 Hz |
| 15 | Sistema de control | Sistema Tongcheng T32 desarrollado a medida |
| 16 | Dimensiones (L × An × Al) (mm) | 1350 × 1066 × 1968 |
| 17 | Peso bruto (kg) | 720 |
Este caso práctico muestra cómo la selección óptima de los sistemas de corte con hilo de diamante de ewirexon puede ayudar a aumentar el rendimiento de las obleas en el procesamiento de SiC y semiconductores compuestos hasta en un 15% y, por lo tanto, a reducir de forma sostenible los costes de producción de las fábricas de semiconductores de potencia. Además, la solución de corte de SiC de ewirexon ofrece un daño superficial mínimo, un menor desperdicio de material y un mayor rendimiento de producción en comparación con los métodos de corte convencionales.
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