
Sawing Temperature in SiC Wafer Cutting: A Diamond Wire Saw Control Guide
Temperature is easy to treat as a secondary variable in SiC wafer cutting. A machine may report stable wire speed, the coolant tank may remain
Low-Stress Cutting Systems for Hard & Brittle Electronic Materials
Brittle electronic plates, including ceramic substrates, semiconductor wafers, and glass-ceramic components, present unique machining challenges due to their high hardness and low fracture toughness. Precision machining is required to achieve tight dimensional tolerances while avoiding surface damage and cracking.
Our diamond wire cutting systems excel at ultra-precise machining of hard brittle materials, achieving micron-level accuracy and minimal surface damage. The advanced cutting technology controls subsurface damage effectively, making it ideal for microelectronic components, power devices, and sensor manufacturing.
Engineered for the most demanding semiconductor and electronics applications, our systems feature high-rigidity frames and intelligent process control. They deliver stable, repeatable performance for R&D prototypes and high-volume production lines alike, meeting the strict quality standards of the 5G, aerospace, and medical electronics industries.
Nuestros sistemas de corte con hilo de diamante están diseñados para el procesamiento complejo de placas electrónicas duras y frágiles, incluidos sustratos cerámicos, obleas semiconductoras y componentes de vitrocerámica. Esta avanzada tecnología de corte permite realizar cortes ultrafinos con un daño superficial mínimo, lo que la hace ideal para la fabricación de componentes microelectrónicos, dispositivos de potencia y sensores. Gracias a sus trayectorias de corte personalizables y a los bastidores de alta rigidez de las máquinas, ofrece una precisión constante incluso con los materiales frágiles más exigentes.
| N.º. | Parámetro | Especificaciones |
| 1 | Modelo | TCQF400LNC-FM-HL |
| 2 | Principio de corte | Alambre de diamante sin fin / Corte físico |
| 3 | Funciones de corte | Corte en rodajas / Corte en ángulo y de perfiles |
| 4 | Tamaño máximo de la pieza de trabajo (mm) | Φ600 mm, altura 500 mm |
| 5 | Dimensiones de la mesa de trabajo (mm) | Plataforma giratoria de Ø380 |
| 6 | Precisión de planitud del corte (mm) | 0.08 |
| 7 | Rugosidad superficial (μm) | Ra 0,8 μm |
| 8 | Especificaciones del alambre (mm) | Ø 0,65–1,0/2580 |
| 9 | Sistema de tensión | Control de tensión constante del cable |
| 10 | Cantidad de ruedas guía | 4 ruedas |
| 11 | Motor de accionamiento | Servomotor |
| 12 | Velocidad del alambre (m/s) | 51Max (ajustable) |
| 13 | Potencia total (kW) | 2.8 |
| 14 | Tensión | 220 V, 50 Hz |
| 15 | Sistema de control | Sistema Tongcheng T32 desarrollado a medida |
| 16 | Dimensiones (L × An × Al) (mm) | 1350 × 1066 × 1968 |
| 17 | Peso bruto (kg) | 720 |

Temperature is easy to treat as a secondary variable in SiC wafer cutting. A machine may report stable wire speed, the coolant tank may remain

A diamond wire can continue moving long after it has stopped cutting economically. It may not be broken, alarms may remain clear, and the machine

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