用于基板切片的高精度金刚石线切割系统
在高速切片过程中，SiC 硅锭、化合物半导体基板和宽带隙材料会受到巨大的机械应力和热影响。为确保优异的表面质量、最小的次表面损伤以及避免导致设备故障的崩裂或微裂纹，半导体制造商需要高度稳定的切割工艺和精确的过程控制。这是可靠、高产地生产高质量晶片的唯一途径。.
加工碳化硅和化合物半导体涉及极高的材料和生产成本。在基板制造总成本中，约有 30% 来自于低效切割、材料损耗和低产量，而不仅仅是原材料。因此，为特定应用选择合适的金刚石线切割系统可以大大降低生产成本，提高效率。.
高精度金刚石绳锯用于将硬而脆的钢锭切割成薄晶片，并具有稳定的张力和进给控制。其操作参数经过优化，具有稳定的线张力、低振动和窄切口宽度，可实现稳定的工艺窗口。.
The new SiC & Compound Semiconductor diamond wire cutting systems from ewirexon are specially developed for high-precision slicing of SiC ingots and wide-bandgap substrates, where ultra-high wafer yield and minimal surface damage are required. The new SiC Series achieves significantly higher material yield than competitor products in this application area. The use of our cutting systems enables savings in production costs for semiconductor fabs. Another positive side effect is the reduction of material waste and surface damage.
| 不. | 参数 | 规格 |
| 1 | 模型 | TCQF400LNC-FM-HL |
| 2 | 切割原理 | 无尽金刚石线/物理切割 |
| 3 | 切割功能 | 切片 / 角材和型材切割 |
| 4 | 最大工件尺寸（毫米） | Φ600毫米，高度500毫米 |
| 5 | 工作台尺寸（毫米） | Ø380 转台 |
| 6 | 切割平面精度（毫米） | 0.08 |
| 7 | 表面粗糙度（μm） | Ra 0.8μm |
| 8 | 电线规格（毫米） | Ø0.65-1.0/2580 |
| 9 | 张力系统 | 恒线张力控制 |
| 10 | 导轮数量 | 4 轮 |
| 11 | 驱动电机 | 伺服电机 |
| 12 | 线速（米/秒） | 51Max（可调） |
| 13 | 总功率（千瓦） | 2.8 |
| 14 | 电压 | 220 伏 50 赫兹 |
| 15 | 控制系统 | 定制开发的通程 T32 系统 |
| 16 | 占地面积（长×宽×高）（毫米） | 1350×1066×1968 |
| 17 | 毛重 千克 | 720 |
本案例研究展示了 ewirexon 金刚石线切割系统的最佳选择如何帮助将碳化硅和化合物半导体加工的晶圆产量提高 15%，从而持续降低功率半导体工厂的生产成本。此外，与传统切割方法相比，ewirexon 的 SiC 切割解决方案可将表面损伤降至最低、减少材料浪费并提高产量。.
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