碳化硅与化合物半导体切割


用于基板切片的高精度金刚石线切割系统

在高速切片过程中,SiC 硅锭、化合物半导体基板和宽带隙材料会受到巨大的机械应力和热影响。为确保优异的表面质量、最小的次表面损伤以及避免导致设备故障的崩裂或微裂纹,半导体制造商需要高度稳定的切割工艺和精确的过程控制。这是可靠、高产地生产高质量晶片的唯一途径。.

加工碳化硅和化合物半导体涉及极高的材料和生产成本。在基板制造总成本中,约有 30% 来自于低效切割、材料损耗和低产量,而不仅仅是原材料。因此,为特定应用选择合适的金刚石线切割系统可以大大降低生产成本,提高效率。.

高精度金刚石绳锯用于将硬而脆的钢锭切割成薄晶片,并具有稳定的张力和进给控制。其操作参数经过优化,具有稳定的线张力、低振动和窄切口宽度,可实现稳定的工艺窗口。.

碳化硅和化合物半导体加工

ewirexon 碳化硅与化合物半导体金刚线切割系统

ewirexon 推出的新型 SiC 及化合物半导体金刚线切割系统,专为 SiC 锭和宽禁带基板的高精度切割而开发,该工艺要求实现超高的晶圆良率并最大限度地减少表面损伤。 在该应用领域,新款 SiC 系列的产品材料良率显著高于竞争对手的产品。采用我们的切割系统,可为半导体工厂节省生产成本。另一个积极的副作用是减少了材料浪费和表面损伤。.

  • 在典型的碳化硅加工生产线中,通过提高切割系统的材料产出率,有可能节约生产成本
  • 最佳利用资源
  • 由于切口损失和表层下损伤最小,生产中可节省材料成本
  • 由于采用模块化结构,占地面积小,因此设备设计灵活紧凑
  • 通过用户友好型操作和远程监控,安装和维护过程中的操作更加简便
  • 通过延长金刚石线和机器部件的使用寿命来降低维护成本
  • 通过定制工艺参数和全面系统集成,提供经济的交钥匙系统解决方案
  • 碳化硅和化合物半导体加工
  • 功率半导体晶片制造
  • 铸锭切片和基片加工
  • 宽带隙材料切割
  • 研发实验室和中试生产线
  • 先进的包装设备
不.参数规格
1模型TCQF400LNC-FM-HL
2切割原理无尽金刚石线/物理切割
3切割功能切片 / 角材和型材切割
4最大工件尺寸(毫米)Φ600毫米,高度500毫米
5工作台尺寸(毫米)Ø380 转台
6切割平面精度(毫米)0.08
7表面粗糙度(μm)Ra 0.8μm
8电线规格(毫米)Ø0.65-1.0/2580
9张力系统恒线张力控制
10导轮数量4 轮
11驱动电机伺服电机
12线速(米/秒)51Max(可调)
13总功率(千瓦)2.8
14电压220 伏 50 赫兹
15控制系统定制开发的通程 T32 系统
16占地面积(长×宽×高)(毫米)1350×1066×1968
17毛重 千克720
ewirexon - ewirexon precision diamond wire cutting system

案例研究:碳化硅和化合物半导体加工

本案例研究展示了 ewirexon 金刚石线切割系统的最佳选择如何帮助将碳化硅和化合物半导体加工的晶圆产量提高 15%,从而持续降低功率半导体工厂的生产成本。此外,与传统切割方法相比,ewirexon 的 SiC 切割解决方案可将表面损伤降至最低、减少材料浪费并提高产量。.

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