
Sawing Temperature in SiC Wafer Cutting: A Diamond Wire Saw Control Guide
Temperature is easy to treat as a secondary variable in SiC wafer cutting. A machine may report stable wire speed, the coolant tank may remain
Diamantdraht-Schneidsysteme für das hochpräzise Schneiden von Bauteilen
Mikroelektronische Bauteile und Präzisionssubstrate sind beim Hochgeschwindigkeitsschneiden extremen Belastungen ausgesetzt. Um höchste Präzision und minimale Schäden unter der Oberfläche zu gewährleisten sowie Risse im Chip zu vermeiden, die zu Leistungseinbußen führen, benötigen Gerätehersteller eine stabile Schneiddynamik und eine präzise Prozesssteuerung. Nur so lässt sich eine zuverlässige Produktion von mikroelektronischen Bauteilen mit hoher Ausbeute erreichen.
Die mikroelektronische Fertigung ist mit hohen Material- und Produktionskosten verbunden. Rund 30% der gesamten Herstellungskosten sind auf ineffizientes Schneiden, übermäßige Schnittspaltverluste und eine geringe Ausbeute zurückzuführen. Die anwendungsspezifische Auswahl von ewirexon-Diamantdraht-Schneidsystemen kann daher entscheidend zur Senkung der Produktionskosten beitragen.
Hochpräzise Drahtsägen werden eingesetzt, um harte, spröde Bauteile unter stabiler Zugspannungsregelung in dünne Wafer zu schneiden. Ihre Betriebsparameter liegen in der Regel im optimalen Prozessfenster, das sich durch eine konstante Zugspannung, geringe Vibrationen und eine schmale Schnittbreite auszeichnet.
Die neuen Diamantdrahtsägen der „Microelectronic Component Precision Cutting“-Serie von ewirexon wurden speziell für das hochpräzise Schneiden von mikroelektronischen Bauteilen und spröden, harten Substraten entwickelt, bei denen eine extrem hohe Schnittgenauigkeit und minimaler Materialverlust erforderlich sind. Die neue Mikroelektronik-Serie erzielt in diesem Anwendungsbereich eine deutlich höhere Schnittgenauigkeit und Materialausbeute als Konkurrenzprodukte. Der Einsatz unserer Schneidsysteme ermöglicht Mikroelektronikherstellern Einsparungen bei den Produktionskosten. Ein weiterer positiver Nebeneffekt ist die Reduzierung von Materialabfall und Oberflächenbeschädigungen.
| NEIN. | Parameter | Spezifikation |
| 1 | Modell | (Individuell anpassbar, z. B. EW-200) |
| 2 | Schneidprinzip | Mechanisches Kaltschneiden mit Diamantdraht |
| 3 | Schneidefunktion | Schneiden |
| 4 | Maximale Werkstückabmessungen (L × B × H) | 150 × 150 × 150 mm |
| 5 | Abmessungen des Arbeitstisches (L × B) | 160 × 160 mm |
| 6 | Genauigkeit der Schnittebenheit | ≤ 0,1 mm |
| 7 | Oberflächenrauheit | Ra 0,8 μm |
| 8 | Spezifikation für Diamantdraht | Φ0,5 × 1797 mm (Durchmesserbereich: 0,35–0,8 mm) |
| 9 | Spannsystem | Servo-Spannungsregelung |
| 10 | Anzahl der Führungsräder | 3 Räder |
| 11 | Antriebsmotor | Maßgefertigter Servomotor |
| 12 | Spindeldrehzahl | 4500 U/min |
| 13 | Leistung des Hauptmotors | 1,1 kW |
| 14 | Gesamtstromverbrauch | 1,5 kW |
| 15 | Stromversorgung | 220 V / 50 Hz |
| 16 | Steuerungssystem | Eigenentwickeltes Tongcheng T30 |
| 17 | Grundfläche (L × B × H) | ca. 850 × 800 × 950 mm |
| 18 | Bruttogewicht | ca. 560 kg |
Diese Fallstudie zeigt, wie die optimale Auswahl von ewirexon-Diamantdrahtschneidsystemen dazu beitragen kann, die Schnittgenauigkeit bei mikroelektronischen Bauteilen um bis zu 99,91 TP3T zu steigern und damit die Produktionskosten moderner Halbleiterfabriken nachhaltig zu senken. Darüber hinaus sorgt die Präzisionsschneidlösung von ewirexon im Vergleich zu herkömmlichen Schneidverfahren für minimalen Materialverlust, eine extrem glatte Oberflächenqualität und einen höheren Produktionsdurchsatz.
Möchten Sie mehr über unsere Projektbeispiele erfahren? Schreiben Sie uns gerne!

Temperature is easy to treat as a secondary variable in SiC wafer cutting. A machine may report stable wire speed, the coolant tank may remain

A diamond wire can continue moving long after it has stopped cutting economically. It may not be broken, alarms may remain clear, and the machine

Build a SiC wafer metrology control plan after diamond wire saw cutting, covering TTV, flatness, bow, warp, edge chips and subsurface damage.

See how 800 VDC AI data center power architectures change SiC wafer cutting, kerf control, surface damage limits and supplier qualification.

Build a practical SiC slicing cost model using kerf loss, yield, wire life, cycle time, finishing allowance and diamond wire saw data.

Learn how 200 mm SiC wafer slicing changes contact length, wire bow, coolant delivery, TTV control and diamond wire saw qualification.
ewirexon.com
Antwortet in der Regel innerhalb weniger Minuten
Hallo, kann ich etwas für Sie tun?
Schreiben Sie uns auf WhatsApp
🟢Online | Datenschutzerklärung
Schreib uns auf WhatsApp